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新闻资讯

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2022-05

BAS20DWQ-13与AP7343D-30FS4-7B升降压芯片介绍

一、BAS20DWQ-13升降压芯片介绍1、特征* 快速切换速度* 非常适合自动插入的表面贴装封装* 高反向击穿电压* 低漏电流* 完全无铅且完全符合 RoHS(注 1 和 2)* 不含卤素和锑。 “绿色”装置(注 3)* 符合 AEC-Q101 高

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2022-05

BAV70Q-7-F与AZ1084CD-3.3TRG1升降压芯片介绍

一、BAV70Q-7-F升降压芯片介绍1、特征• 快速切换速度• 非常适合自动插入的表面贴装封装• 用于通用开关应用• 高电导• 完全无铅且完全符合 RoHS(注 1 和 2)• 不含卤素和锑。 “绿色”设备(注释 3 和 4)• 符合 AEC-Q1

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2022-05

ZXMN10A08E6TA与AL5809-50QP1-7升降压芯片介绍

一、ZXMN10A08E6TA升降压芯片介绍1、产品概要* V(BR)DSS 最大 RDS(on) 最大 ID TA = 25C 100V* 250mΩ @ VGS = 10V 1.9A* 300mΩ @ VGS = 6V 1.68A2、描述和应用该

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2022-05

MBR2150VRTR-G1与ZXTN25012EFHTA升降压芯片介绍

一、MBR2150VRTR-G1升降压芯片介绍1、描述MBR2150 是一款适用于开关电源和其他电源转换器的高压肖特基整流器。这个设备是旨在用于中压操作——尤其是低开关损耗和低噪声的高频电路必需的。MBR2150 可用于标准 DO-214AC 和 D

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2022-05

ZXTN2010ZTA与ZXTP2012ZTA升降压芯片介绍

一、ZXTN2010ZTA升降压芯片介绍1、特征* BVCEO > 60V* IC = 5A 高连续电流* RSAT = 30mΩ(低等效导通电阻)* 低饱和电压 VCE(SAT) < 65mV @ IC = 1A* hFE 指定高达 1

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2022-05

SBRT3U40P1Q-7与SDT5H100P5-7升降压芯片介绍

一、SBRT3U40P1Q-7升降压芯片介绍1、产品概要 @TA = +25C VRRM (V) IO (A) VF Max (V) IR Max (µA) 40 3 0.49 1802、描述封装在紧凑的热效率 PowerDI®123 中,SBRT3