对国内MOCVD设备企业带来竞争压力，短期内技术难以实现转移。中国资本收购爱思强后，将有助于爱思强继续扩大国内市场，加强与国内芯片企业的合作，进一步挤压国产MOCVD设备的市场和利润空间，国产设备未来将面临更大的竞争压力。从技术方面看，一方面，截至2015年年底，爱思强共有MOCVD设备相关专利组合189项，其中包括多项LED用MOCVD设备核心基础专利，所有权仍为爱思强，国内企业研发过程中难以绕过;另一方面，收购要约中指出爱思强的三大技术研发中心仍保持在德国、英国和美国，核心技术团队不变，仅于2011年在中国和苏州纳米所建立了MOCVD培训中心，用以提供技术支持，爱思强正在布局的OLED、石墨烯、碳纳米管等前沿薄膜生长设备技术，短期内难以转移到国内。

一、MP2162GQH-Z升降压芯片的特性

MP2162 是一款内置功率 MOSFET 的单片降压开关变换器。在 2.5V 至 6V 输入电压范围内，它可以实现 2A 的连续输出电流，且具有出色的负载和线性调整率。其输出电压可调节低至 0.6V。

二、MP2303升降压芯片的特性

• 3A, 28V, 360KHz同步整流降压变换器

• 输出电流：3A

• 采用低 ESR 输出陶瓷电容可稳定工作

• 宽工作输入电压范围：4.7V 至 28V

• 360kHz 固定频率

• 集成MOSFET开关管

• 逐周期过流保护

• 可调输出电压：0.80V 至 25V

• 输入欠压锁定保护

• 效率高达95%

• 采用 8引脚 SOIC封装和 PDIP-8 封装

• 可调软启动功能