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DMP2035UVT与MP2615GQ-Z升降压芯片的特性

时间:2022-07-25 预览:695

DMP2035UVT与MP2615GQ-Z升降压芯片的特性

MIT的研究人员发现,石墨烯的特性可以使光的速率降低,从而产生密集的光束。由于这种现象和飞机超越音速时产生的“音爆”相似,故而被称为“光爆”。在光爆过程中,当运动的速度因为快于光而受到局限时,石墨烯中的电子会释放出“等离子体激元”,这一现象能够为超薄计算机设备的光基电路的研制打基础。

一、DMP2035UVT升降压芯片的特性

• -20V P沟道增强型MOSFET

• BVDSS  -20V

• RDS(ON)Max  35mΩ @ VGS = -4.5V  ID -6A 45mΩ @ VGS = -2.5V  ID  -5.2A

二、MP2615GQ-Z升降压芯片的特性

MP2615 采用两个控制环路分别控制充电电流和电池充满电压,以实现高精度的恒流充电(CC)和恒压充电(CV)。

恒定关断时间(COT)控制模式下电路工作占空比高达 99%,这样即使在电池电压接近输入电压时,仍然可以保持相对较大的电流对电池进行充电。